Poids de l’Open access dans la production CNRS
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Titre
Low temperature homoepitaxy of GaN structures by Vapor Liquid Solid transport
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BSO - Titre
Low temperature homoepitaxy of GaN structures by Vapor Liquid Solid transport
XX
DOI
DOI
10.1016/j.jcrysgro.2017.03.018
XX
DOAI
DOAI
10.1016/j.jcrysgro.2017.03.018
XX
Identifiant WoS
WOS:000401128400004
XX
Accès ouvert
OA - Non
XX
Source - Accès ouvert
OA - Non
XX
Type d'accès
Non OA
XX
Editeur
Elsevier
XX
Source
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
XX
ISSN
0022-0248
XX
Type de document
Article
XX
Notoriété
2 - Acceptable
XX
CNRS
Oui
XX
CNRS - Institut
INC - Institut de chimie
XX
uid:/WG12N2ZS
12/10/2021 14:52:42 (latest)
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